RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
73
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
7.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
2082
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link