Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterschiede

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    18 left arrow 73
    Rund um -306% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.4 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 4.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 8500
    Rund um 2.26 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 18
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 20.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.7 left arrow 17.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1021 left arrow 3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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