Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Kingston 9905474-052.A00LF 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote
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Kingston 9905474-052.A00LF 2GB

Kingston 9905474-052.A00LF 2GB

Gesamtnote
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unterschiede

Kingston 9905474-052.A00LF 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    52 left arrow 70
    Rund um -35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.5 left arrow 6.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 3.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    70 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.5 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.4 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    680 left arrow 2472
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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