RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2277
3809
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link