RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
30
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2792
2936
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link