RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2279
1512
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link