RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
3579
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link