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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
2323
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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