RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
30
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
18.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1927
3529
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link