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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
69
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
3261
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
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