RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
16.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
3779
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link