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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
69
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
1512
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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