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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
2679
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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