RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
69
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
3.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1129
1989
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link