RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
44
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,769.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,482.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,769.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2890
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link