RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2388
3876
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link