RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2388
3660
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link