RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2298
3045
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link