RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1537
3147
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link