RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
75
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3673
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link