RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
75
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
2701
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link