RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
75
Rund um -295% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3220
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link