RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
75
Rund um -213% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3095
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link