RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
72
Rund um -227% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
4.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.8
2.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.9
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.9
18.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
776
4382
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link