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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
3490
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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