RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2257
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link