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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
50
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2512
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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