RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
57
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2377
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link