RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2039
3182
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link