RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2039
2545
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link