RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
51
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2123
2387
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link