RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2123
2803
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link