RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
40
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2201
2426
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link