RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2233
2545
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link