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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
1254
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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