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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
3711
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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