RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1995
2148
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link