RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
3169
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link