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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
2516
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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