RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
2648
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link