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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
3635
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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