RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
2731
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link