RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gesamtnote
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1435
2174
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link