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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
53
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2030
2333
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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