RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2102
2938
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link