RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2102
3568
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link