RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
59
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2181
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link