RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1857
2960
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link