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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2009
3169
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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