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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
2963
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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